- Cyflwyniad i Gelloedd
(1) Trosolwg:Celloedd yw cydrannau craiddcynhyrchu pŵer ffotofoltäig, ac mae eu llwybr technegol a lefel y broses yn effeithio'n uniongyrchol ar effeithlonrwydd cynhyrchu pŵer a bywyd gwasanaeth modiwlau ffotofoltäig.Mae celloedd ffotofoltäig wedi'u lleoli yn rhannau canol y gadwyn diwydiant ffotofoltäig.Maent yn dalennau tenau lled-ddargludyddion sy'n gallu trosi egni golau'r haul yn egni trydanol a geir trwy brosesu wafferi silicon crisialog sengl / poly.
Yr egwyddor ocynhyrchu pŵer ffotofoltäigyn dod o effaith ffotodrydanol lled-ddargludyddion.Trwy oleuo, cynhyrchir gwahaniaeth potensial rhwng gwahanol rannau mewn lled-ddargludyddion homogenaidd neu lled-ddargludyddion ynghyd â metelau.Mae'n cael ei drawsnewid o ffotonau (tonnau golau) yn electronau ac egni golau yn egni trydanol i ffurfio foltedd.a'r broses gyfredol.Ni all y wafferi silicon a gynhyrchir yn y cyswllt i fyny'r afon dargludo trydan, ac mae'r celloedd solar wedi'u prosesu yn pennu gallu cynhyrchu pŵer modiwlau ffotofoltäig.
(2) Dosbarthiad:O safbwynt y math o swbstrad, gellir rhannu celloedd yn ddau fath:Celloedd math-P a chelloedd math N.Gall dopio boron mewn crisialau silicon wneud lled-ddargludyddion math P;gall dopio ffosfforws wneud lled-ddargludyddion math N.Deunydd crai batri math P yw wafer silicon P-math (wedi'i ddopio â boron), a deunydd crai batri math N yw wafer silicon math N (wedi'i ddopio â ffosfforws).Mae celloedd math-P yn bennaf yn cynnwys BSF (cell maes cefn alwminiwm confensiynol) a PERC (allyrrydd goddefol a chell cefn);Mae celloedd math N ar hyn o bryd yn dechnolegau mwy prif ffrwdTOPcon(cyswllt passivation haen ocsid twnelu) a HJT (cyffordd ffilm tenau cynhenid Hetero).Mae'r batri math N yn dargludo trydan trwy electronau, ac mae'r gwanhad a achosir gan olau a achosir gan y pâr atom boron-ocsigen yn llai, felly mae'r effeithlonrwydd trosi ffotodrydanol yn uwch.
3. Cyflwyno batri PERC
(1) Trosolwg: Enw llawn y batri PERC yw “batri goddefiad allyrrwr a chefn”, sy'n deillio'n naturiol o strwythur AL-BSF y batri maes cefn alwminiwm confensiynol.O safbwynt strwythurol, mae'r ddau yn gymharol debyg, a dim ond un haen passivation cefn yn fwy sydd gan y batri PERC na'r batri BSF (y dechnoleg batri cenhedlaeth flaenorol).Mae ffurfio'r pentwr goddefol cefn yn caniatáu i'r gell PERC leihau cyflymder ailgyfuno'r wyneb cefn wrth wella adlewyrchiad golau yr wyneb cefn a gwella effeithlonrwydd trosi'r gell.
(2) Hanes datblygu: Ers 2015, mae batris PERC domestig wedi mynd i gyfnod o dwf cyflym.Yn 2015, cyrhaeddodd capasiti cynhyrchu batri PERC domestig y lle cyntaf yn y byd, gan gyfrif am 35% o gapasiti cynhyrchu batri PERC byd-eang.Yn 2016, arweiniodd y “Rhaglen Rhedwr Uchaf Ffotofoltäig” a weithredwyd gan y Weinyddiaeth Ynni Genedlaethol ddechrau swyddogol cynhyrchu màs diwydiannol o gelloedd PERC yn Tsieina, gydag effeithlonrwydd cyfartalog o 20.5%.Mae 2017 yn drobwynt ar gyfer cyfran y farchnad ocelloedd ffotofoltäig.Dechreuodd cyfran y farchnad o gelloedd confensiynol ostwng.Cynyddodd cyfran y farchnad celloedd PERC domestig i 15%, ac mae ei allu cynhyrchu wedi cynyddu i 28.9GW;
Ers 2018, mae batris PERC wedi dod yn brif ffrwd yn y farchnad.Yn 2019, bydd cynhyrchiad màs celloedd PERC ar raddfa fawr yn cyflymu, gydag effeithlonrwydd cynhyrchu màs o 22.3%, gan gyfrif am fwy na 50% o gapasiti cynhyrchu, gan ragori'n swyddogol ar gelloedd BSF i ddod yn dechnoleg celloedd ffotofoltäig mwyaf prif ffrwd.Yn ôl amcangyfrifon CPIA, erbyn 2022, bydd effeithlonrwydd cynhyrchu màs celloedd PERC yn cyrraedd 23.3%, a bydd y gallu cynhyrchu yn cyfrif am fwy nag 80%, a bydd cyfran y farchnad yn dal i fod yn gyntaf.
4. batri TOPcon
(1) Disgrifiad:TOPcon batri, hynny yw, y gell cyswllt passivation haen ocsid twnelu, yn cael ei baratoi ar gefn y batri gyda haen ocsid twnelu uwch-denau a haen o haen denau polysilicon doped iawn, sydd gyda'i gilydd yn ffurfio strwythur cyswllt passivation.Yn 2013, fe'i cynigiwyd gan Sefydliad Fraunhofer yn yr Almaen.O'i gymharu â chelloedd PERC, un yw defnyddio silicon n-math fel y swbstrad.O'i gymharu â chelloedd silicon p-math, mae gan silicon n-math fywyd cludwr lleiafrif hirach, effeithlonrwydd trosi uchel, a golau gwan.Yr ail yw paratoi haen passivation (siO2 silicon ocsid uwch-denau a doped poly silicon haen denau Poly-Si) ar y cefn i ffurfio strwythur passivation cyswllt sy'n ynysu'r rhanbarth doped yn llwyr o'r metel, a all leihau'r cefn ymhellach wyneb.Mae tebygolrwydd ailgyfuniad cludwr lleiafrifol rhwng yr wyneb a'r metel yn gwella effeithlonrwydd trosi y batri.
Amser post: Awst-29-2023